Помогнете за преобразуване на устройство Metra Blansko 32 мнения

[cvetanmu]

Много бързо се отказваш.Тежката артилерия трябваше да я изкараш още в началото.
Ако оставиш само полевака и сложиш един драйвер пред него мисля, че предния фронт на импулса ще се оправи.Ако остане време през почивните дни ще я пробвам постановката и ще си каже къде му е проблема.

[lenko71]

+1 за Дарлингтон. Ако нямаш наличен просто свържи още един напр. KD617.
По последната схема - откачаш емитера и го свързваш към базата на допълнителния. Неговия емитер към "+", колекторите на двата заедно.

[dido73]

Снощи бях много изморен и нещо се отчаях. Не съм се отказал. Два дена отмор и петък и събота ще пробвам съветите въпреки, че ми намекнаха да приключвам вече с "глупостите".
Както и да е, все пак съм доволен, че проблема не е в платката. Тази красавица за сега е извън играта:

Аха, ясно е вече какво става. Транзисторът не може да даде достатъчно ток, за да зареди бързо кондензатора!
Може би трябва да пробваш с някой PNP дарлингтон за поне 10А колекторен ток.

Или даже да използваш тиристор (пак за поне 10А).

Общо взето грешката е, че смятахме схемата за 1А, а трябва да я смятаме за 10А или даже повече.

Тиристори обикновени (SCR) имаме мощни за 10А, но трябва да го отпушвам и запушвам с честота f≈4÷5Hz. Искам пробите от сега нататък да ги правя без никакви генератори и тям подобни - транзистор (тиристор) и ръчно управление, за да не остава съмнение в генератора. Та с тиристор може да го направя с 2 бутона, един за отпушването и един за запушването, защото нямаме GTO-та. Ще пробвам варианта. Малко ще ми е трудно да синхронизирам натисканията на двата бутона, но ще стане.
Преди това ще пробвам дарлингтон както каза

+1 за Дарлингтон. Ако нямаш наличен просто свържи още един напр. KD617.
По последната схема - откачаш емитера и го свързваш към базата на допълнителния. Неговия емитер към "+", колекторите на двата заедно.

Готови дарлингтони нямам, но ще го направя със сдвоен KD617.

Много бързо се отказваш.Тежката артилерия трябваше да я изкараш още в началото.
Ако оставиш само полевака и сложиш един драйвер пред него мисля, че предния фронт на импулса ще се оправи.Ако остане време през почивните дни ще я пробвам постановката и ще си каже къде му е проблема.

Значи относно полевака, не знам дали си чел предишните постове, че темата набъбна, но първоначално това което е на платката е стабилизатора 7812 и полевака "N" MOS. Директно не може да се включи "N" MOS в силовата част, защото товара на устройството се явява в сорсовата част на "N" MOS, а при такова положение той пък не се отпушва , ако на сорса на "N" MOS нямам чисто GND. Затова сложих "N" MOS да управлява "P" биполярен.
Варианта със полевак в силовата част е само с "P" MOS, но при варианта с управление от платка не стана. "P" MOS се запушва с високо ниво на гейта и се отпушва с ниско. Спрямо 50V на сорса на "P" MOS тия 12V от таймера не достигаха за високо ниво и си стоеше все отпушен. Ако дадеш идея за ръчно управление на "P" MOS директно включен на силовата верига за 50V ще пробвам и този вариант. Без никакви генератори и платки. Тръгне ли веднъж с някой от пробите вече ще му мисля за управление.

Лошото е че не почнах пробите в силовата част и ръчно управление. А първо изработих платка, и после направих пробите.
От де да знам че тук нещата не са като при оная русата.

[sstefanov]

PMOS може да го управляваш с маломощния NMOS. Просто го закачаш вместо PNP-то.

Аз бих добавил и един ценер 16-18V между гейт-сорс на PMOS-a (паралелно на R8, с анод към гейта), за да му предпазва гейта от тези 50V. По паспорт на повечето MOS транзистори това напрежение е не повече от 20V.

За по-стръмни фронтове може да опиташ някой малък кондензатор (няколко десетки нанофарада) паралелно на R6.

[ELEMENTAL]

От "контролната" симулация става ясно, че времето на зареждане на кондензатора е много голямо (и съизмеримо с времето му на разреждане - т.е. около 100mS).Дефакто резултатите са идентични с тези от измерванията направени от автора на темата.
Симулацията на варианта с PMOS транзистор (IRF9540N) показва, че в този случай времето на зареждане на кондензатора е много по-късо (около 500uS).
Симулацията с NMOS транзистор (IRFZ44N) дава подобни резултати.Времето на зареждане на кондензатора е най-малко (около 40uS).
Принципно, най-удачния вариант е използването на NMOS транзистор.В този случай са необходими по-малко елементи, цената на изделието съответно пада, управлението на транзистора е най-евтино и надеждно.Единствения недостатък (ако може да се нарече такъв) е комутирането на масата, а не на "плюса".

П.П.Управляващия правоъгълен сигнал във всички симулации е с честота 5Hz и амплитуда 12V.
П.П.2.Разликите във времената в случаите с P и N МОS транзистори се дължат главно на разликите в съпротивлението "дрейн-сорс" на последните (при IRF9540N - Rds(on)=0,12-0,2Ω, при IRFZ44N - 0,018-0,022Ω), а не на различните използвани гейтови резистори.

[dido73]

ELEMENTAL, много добре си ги симулирал.

Принципно, най-удачния вариант е използването на NMOS транзистор.В този случай са необходими по-малко елементи, цената на изделието съответно пада, управлението на транзистора е най-евтино и надеждно.Единствения недостатък (ако може да се нарече такъв) е комутирането на масата, а не на "плюса".

Няма как, ако е само NMOS като силов транзистор при това устройство му поставям товара в сорсовата част, а тя трябва да е на чист GND. Това е така, защото най достъпното място за поставяне на допълнение е като паралел на бутона, а така товара се явява в сорсовата част на NMOS. Иначе осцилограмите при използване на полевак са идентични с тези при комутиране от бутон А1 на устройството

Симулацията на варианта с PMOS транзистор (IRF9540N) показва, че в този случай времето на зареждане на кондензатора е много по-късо (около 500uS).

Ето този вариант е много удачен. Много лесно мога да прибавя към досегашния вариант един PMOS (IRF9540) на мястото на биполярния. Само дето ми се ще да уточниш нещо. Не се вижда добре в схемата на симулацията R2 с каква стойност е? 680 ли е 630? kΩ или Ω? Не се вижда какъв е порядъка 680R или 680K. По скоро да е омове, защото 680kΩ е прекалено високо за резистор между сорс-гейт. При пробата ми с IRF9540 с директно управление от таймера не се получи, защото таймера ми дава 12V и IRF9540 не се запушваше (IRF9540 иска по-високо напрежение спрямо тия 50V на сорса) и така се отказах от PMOS. Тогава след дискусията преминах на биполярен и така въобще не пробвах варианта NMOS (BS107), управляван от таймера, да управлява PMOS (IRF9540)

[ELEMENTAL]

Резистора използван в симулацията е 680 ома, но по-добре сложи по-нискоомен (470-510 ома), така напрежението гейт-сорс ще се ограничи до около 17V.

Няма как, ако е само NMOS като силов транзистор при това устройство му поставям товара в сорсовата част, а тя трябва да е на чист GND. Това е така, защото най достъпното място за поставяне на допълнение е като паралел на бутона, а така товара се явява в сорсовата част на NMOS.

Да разбирам ли, че анодите на тестваните диоди и масата на захранващия източник са свързани извън тестера?

[dido73]

Да разбирам ли, че анодите на тестваните диоди и масата на захранващия източник са свързани извън тестера?

Извън тестера не са свързани. Тестера свързва 0V на захранващия източник с анодите на измерваните диоди. Когато се подсъедини тестера към диодите и ако сложа платка за управление на транзистор => GND на платката ≡ 0V на захранващия източник ≡ анодите на измерваните диоди. Бях пуснал горе по постовете цялата схема на свързване. Пускам я пак:

Това в пунктира на горната схема е тестера, като е добавен допълнително биполярния транзистор, резисторите R6, R8, и бутона А2 за управление на транзистора. Тази схема е директно с хвърчащ транзистор при който се надявах да имитира натисканията на бутон А1. Ако вместо биполярен има NMOS то при имитация или реален пробив в диодите, товар ще е R1=56Ω/50W т.е. товара ще е във сорсовата част и NMOS няма да работи.
Долната схема е когато има и платка управление и евентуално силовия транзистор е поместен в нея:

[ELEMENTAL]

Не си ме разбрал нещо.Щом между диодите и масата на захранващия източник няма връзка (извън тестера), то бутона А1 и NMOS транзистора могат да се сложат да комутират масата на тестера.Така работата на тестера се запазва, като освен това става възможно транзистора да се управлява директно от таймера.В този случай управлението на транзистора е по-лесно, защото той е свързан по схема "общ сорс".Ако транзистора е свързан по схема "общ дрейн" (както е в коментирания от тебе случай), наистина той няма да се отпуши без да се налага използването на спомагателен източник с напрежение 10-на волта по-високо от захранващото + по-сложен драйвер.

[dido73]

Не си ме разбрал нещо.Щом между диодите и масата на захранващия източник няма връзка (извън тестера), то бутона А1 и NMOS транзистора могат да се сложат да комутират масата на тестера.Така работата на тестера се запазва, като освен това става възможно транзистора да се управлява директно от таймера.В този случай управлението на транзистора е по-лесно, защото той е свързан по схема "общ сорс".Ако транзистора е свързан по схема "общ дрейн" (както е в коментирания от тебе случай), наистина той няма да се отпуши без да се налага използването на спомагателен източник с напрежение 10-на волта по-високо от захранващото + по-сложен драйвер.

Сега вече те разбрах. Просто трябва да превържа бутон А1 да не комутира плюса, а да комутира минуса и пробвам само с NMOS. Само дето наличният ми мощен NMOS е IRF540 за 22A. Нямам IRFZ44N но мисля, че и IRF540 ще свърши работа.
Все пак преди да превързвам бутона, който оригинално си е на плюсовата страна ще пробвам и другите варианти и ще направя сравнение. А вариантите са:

1. 1. Биполярен дарлингтон 2хKD617 в плюсовата част

• 2. PMOS IRF9540 в плюсовата част

• 3. Мощен тиристор в плюсовата част

• 4. NMOS IRF540 в минусовата част както си го преобрзувал в схемата

Не заключвайте за сега темата. Нека след празниците като стане съвсем ясно какви са резултатите и тогава да я заключите.